Influence of technological inpurities on electrical parameters of MOS transistor
Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Series of Physical-Technical Sciences
View Archive Info| Field | Value | |
| Title |
Influence of technological inpurities on electrical parameters of MOS transistor
Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора |
|
| Creator |
V. Odzaev B.
A. Pyatlitski N. V. Prasalovich S. A. Turtsevich S. S. Shvedau V. V. Filipenia A. V. Chorny V. V. Yavid Yu. Yu. Yankouski N. V. Dubrouski A. В. Оджаев Б.; Белорусский государственный университет А. Петлицкий Н.; Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ» В. Просолович С.; Белорусский государственный университет А. Турцевич С.; Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ» С. Шведов В.; Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ» В. Филипеня А.; Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ» В. Черный В.; Белорусский национальный технический университет В. Явид Ю.; Белорусский государственный университет Ю. Янковский Н.; Белорусский государственный университет В. Дубровский А.; Белорусский государственный университет |
|
| Description |
It is shown that the quality of gate dielectric has a determinative impact on electrical physical parameters of MOS transistors. Contamination of material by technological impurities during the manufacturing process is the reason for the deterioration of electrical physical parameters of MOS transistors. Sources of contamination can be components of technological equipments, as well as the materials and reagents.
Исследованы ВАХ МОП-транзисторов, созданных по эпитаксиально-планарной технологии в различное время с использованием идентичных технологических материалов по аналогичным технологическим маршрутам. Установлено, что электрофизические характеристики МОП-транзисторов существенным образом зависят от качества подзатворного диэлектрика. Наличие дополнительного встроенного заряда в диэлектрике, а также быстрых поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO2 приводят как к увеличению порогового напряжения, так и к снижению тока и напряжения насыщения, крутизны характеристики МОП- транзистора в линейной области и в области насыщения, проводимости структуры в линейной области. Возрастают также токи утечки затвора. Показано, что причиной ухудшения электрофизических параметров МОП-транзисторов является загрязнение материала технологическими примесями (Fe, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Cu, Zn и др.) во время производственного процесса. Источниками загрязнений могут служить как детали и узлы технологических установок, так и используемые материалы и реактивы. |
|
| Publisher |
The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"
|
|
| Date |
2016-06-28
|
|
| Type |
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion — |
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Identifier |
http://vestift.belnauka.by/jour/article/view/64
|
|
| Source |
Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Series of Physical-Technical Sciences; № 4 (2014); 14-17
Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-технических наук; № 4 (2014); 14-17 0002-3566 |
|
| Language |
rus
|
|
| Relation |
http://vestift.belnauka.by/jour/article/view/64/65
|
|
| Rights |
Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие в данном журнале, соглашаются со следующим:Авторы сохраняют за собой авторские права на работу и предоставляют журналу право первой публикации работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы сохраняют право заключать отдельные контрактные договорённости, касающиеся не-эксклюзивного распространения версии работы в опубликованном здесь виде (например, размещение ее в институтском хранилище, публикацию в книге), со ссылкой на ее оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access). |
|