Record Details

ANALYSIS OF PREDICTION OF RELIABILITY OF LONG-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH APPLICATION OF POWER-LAW DEPENDENCE OF LIFETIME TL ON SUBSTRATE CURRENT ISUB

Dependability

View Archive Info
 
 
Field Value
 
Title ANALYSIS OF PREDICTION OF RELIABILITY OF LONG-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH APPLICATION OF POWER-LAW DEPENDENCE OF LIFETIME TL ON SUBSTRATE CURRENT ISUB
АНАЛИЗ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ НАДЕЖНОСТИ ДЛИННО-КАНАЛЬНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПРИМЕНЕНИЕМ СТЕПЕННОЙ ЗАВИСИМОСТИ СРОКА СЛУЖБЫ TL ОТ ТОКА ПОДЛОЖКИ ISUB
 
Creator A. Volkov N.; F.V. Lukin State Research Institute of Physical Problems
А. Волков Н.; ФГУП НИИ Физических проблем им. Ф.В.Лукина
 
Subject reliability prediction; lifetime; substrate current; hot carrier injection
прогнозирование надежности; срок службы; ток подложки; инжекция горячих носителей
 
Description This paper covers the influence of structural and technological parameters of field metal-oxidesemiconductor-transistors (MOSFET) on reliability prediction in power-law dependence of lifetime tL from substrate current of Isu. The structural and technological parameters capable to influence degradation of MOSFET instrument characteristics caused by injection of hot carriers are defined. The author would like to express his gratitude to the research supervisor, Doctor of Technical Sciences, Professor Korobov A.I. for support of the present paper and a number of important comments.
В работе исследовано влияние конструктивно-технологических параметров полевых металл-оксид-полупроводник-транзисторов (МОПТ) на прогнозирование надежности в степенной зависимости срока службы tL от тока подложки ISUB. Найдены конструктивно-технологические параметры, способные влиять на деградацию приборных характеристик МОПТ, вызванную инжекцией горячих носителей. Автор выражает благодарность научному руководителю, д.т.н., профессору Коробову А.И. за поддержку настоящей работы и ряд важных замечаний.
 
Publisher LLC Journal Dependability
 
Contributor —
—
 
Date 2016-07-06
 
Type info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
—
—
 
Format application/pdf
application/pdf
 
Identifier http://www.dependability.ru/jour/article/view/102
 
Source Dependability; № 4 (2015); 47-56
Надежность; № 4 (2015); 47-56
1729-2646
 
Language rus
eng
 
Relation http://www.dependability.ru/jour/article/view/102/277
http://www.dependability.ru/jour/article/view/102/278
Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. в 2-х частях. Часть 2. - Москва: Техносфера, 2004. - 536с.:ил.
Chenming Hu, Senior member, IEEE, Simon C. Tam, member, IEEE, Fu-Chien Hsu, member, IEEE, Ping-Keung Ko, member, IEEE, Tung-Yi Chan, Anid Kyle, W. Terril. Hot-Electron-Induced IMOSFET Degradation - Model, Monitor, and Improvement. IEEE Journal of Solid-state circuits, vol. SC-20, No. 1, February1985.
Tibor Grasser. Hot Carrier Degradation in Semiconductor Devices, Springer International Publishing Switzerland 2015.
Weber W., Werner C. and Schwerin A. Lifetime and substrate currents in static and dynamic hot carrier degradation. IEDM 86, p. 15.4, IEEE 1986. 5. James E. Chung, Min-Chie Jeng, James E. Moon, Ping-Keung Ko, Chenming Hu. Low-Voltage Hot-Electron Currents and Degradation in Deep-Submicrometer MOSFET’s. IEEE Transactions on electron devices, vol. 37. № 7, p. 1651, July 1990.
Hazama H., Iwase M., Takagi S. Hot carrier reliability in deep sub-micrometer MOSFET’s. IEDM 90, p. 24.5.1, IEEE 1990.
Rafi J.M., Campabadal F. Hot-carrier degradation in deep-submicrometer nMOSFET’s: lightly doped drain vs. large angle tilt implanted drain. Solid-State Electronics 45 (2001), p. 1391-1401.
 
Rights Authors who publish with this journal agree to the following terms:Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
Авторы, публикующие в данном журнале, соглашаются со следующим:Авторы сохраняют за собой авторские права на работу и предоставляют журналу право первой публикации работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим распространять данную работу с обязательным сохранением ссылок на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы сохраняют право заключать отдельные контрактные договорённости, касающиеся не-эксклюзивного распространения версии работы в опубликованном здесь виде (например, размещение ее в институтском хранилище, публикацию в книге), со ссылкой на ее оригинальную публикацию в этом журнале.Авторы имеют право размещать их работу в сети Интернет (например в институтском хранилище или персональном сайте) до и во время процесса рассмотрения ее данным журналом, так как это может привести к продуктивному обсуждению и большему количеству ссылок на данную работу (См. The Effect of Open Access).